ALD装置
ALD装置はAtomic Layer Deposition Systemの頭文字を取ったもので、
原子層堆積装置のことです。 一原子層毎の精密な成膜プロセスで使用します。
原子層堆積装置のことです。 一原子層毎の精密な成膜プロセスで使用します。
SAL1000 デスクトップ型ALD装置
4φ基板用（φ100）ホルダー
装置コンセプト
SAL1000 ALD装置は、成膜チャンバーと制御電源部を一体化することにより、小型軽量化を実現したコンパクトな卓上設置可能な研究開発用の装置です。
プリカーサーは2基内蔵し、成膜性能はφ１００内±3％(AlO3)以内です。
また、装置価格もコンパクト化により、部品点数を抑え700万円以下のお買い求めやすい価格を実現しました。
プリカーサーは2基内蔵し、成膜性能はφ１００内±3％(AlO3)以内です。
また、装置価格もコンパクト化により、部品点数を抑え700万円以下のお買い求めやすい価格を実現しました。
特徴
- 前面タッチパネルで成膜プロセスを設定でき、圧力や動作状況を確認できます。
- 真空排気から成膜まで設定したプロセスを自動で実施し、成膜終了後はベントボタンを押せば基板を取り出せます。
- プリカーサーは2系統搭載し、対応基板はφ４“までとなります。
性能及び仕様（Performance ＆ Component）
| 到達圧力 (Vacuum Pressure) | ≦5Pa | |
|---|---|---|
| 膜厚分布 (Uniformity) | φ100ｍｍ Area ≦±3％ | AlO3にて（In Case of AlO3） |
| 成膜方向（Direction of deposition） | デポダウン（Deposition down） | |
| 基板サイズ（Substrate size） | φ100mmMAX | |
| 基板加熱温度 （Temperature of substrate heater） |
350℃ MAX | 基板ホルダー温度 （Temperature of substrate holder） |
| プリカーサシリンダー （Precursor cylinder） |
2個（2 pieces） | 加熱温度150℃ Max (Heating Temperature) |
| ALDバルブ(ALD valve) | パルス開閉≧15m sec （Pulse drive） |
加熱温度150℃ (Heating Temperature) |
| N2パージガス機構 (Unit of N2 Purge gas) |
ニードルバルブ、ＭＦメーター付 （Needle valve with MF meter） |
|
| 排気ポンプ （Vacuum Pump） | 162 L/min ロータリポンプ （Rotary Pump） | |
設置 (Space)
| 本体(Main Part) | 重量 (Weight) 50kg 面積 (Necessity Area) W 465 × D 600 × H 650 |
|---|---|
| ロータリポンプ(Rotary Pump) | 重量 (Weight) 27kg |
オプション (Option)
| 基板ホルダー回転機構 (Substrate holder Rolling mechanism) |
| プリカーサシリンダー加熱温度 (Precursor cylinder heater) ：200℃ MAX |
カタログ
評価機をご用意しておりますので、サンプルの作成も可能です。
また、特注仕様にも対応いたしますので、ご気軽にご相談ください。
SAL1000B 粉体用ALD装置
粉体成膜写真
装置コンセプト
SAL1000B 粉体用ALD装置は、傾斜、回転、振動機構を装備しており、粉体を撹拌することで粉体全面への成膜を可能にした研究開発用装置です。コンパクトな卓上設置可能な装置で、プリカーサーは２系統内蔵しております。 装置価格も800万円程度とお求めやすい価格に設定しました。
特徴
- 操作はタッチパネルで成膜プロセスのレシピ設定や駆動機器の動作確認ができます。
- オプションでグローブボックスも取りつけ可能です。
- 粉体以外にもφ４“までの基板への成膜も可能です。
性能及び仕様（Performance ＆ Component）
| 到達圧力(Vacuum Pressure) | ≦5Pa | |
|---|---|---|
| 膜厚分布(Uniformity) | φ100ｍｍ Area ≦±3％ | AlO3 にて（In Case of AlO3） |
| 成膜方向（Direction of deposition） | デポダウン（Deposition down） | |
| 粉体容器（Powder container） | 銅製（Cupper） | |
| 処理粉体量（Powder quantity） | 5CC | |
| 粉体容器加熱温度（Temperature of powder container heate） | 350℃ MAX | |
| プリカーサシリンダー （Precursor cylinder） |
2個 （2 pieces） | 加熱温度150℃ Max (heating Temperature) |
| ALDバルブ(ALD valve) | パルス開閉≧15m sec (Pulse drive) |
加熱温度150℃ (heating Temperature) |
| N2パージガス機構 (Unit of N2 Purge gas) |
ニードルバルブ、ＭＦメーター付 （Needle valve with MF meter） |
|
| 排気ポンプ （Vacuum Pump） | 162 L/min ロータリポンプ （Rotary Pump） | |
設置 (Space)
| 本体(Main Part) | 重量 (Weight) 50kg 面積 (Necessity Area) W 650 × D 750 × H 650 |
|---|---|
| ロータリポンプ(Rotary Pump) | 重量 (Weight) 27kg |
オプション (Option)
| グローブボックス（Glove box） |
| プリカーサシリンダー加熱温度 (Precursor cylinder heater)：200℃ MAX |
カタログ
評価機をご用意しておりますので、サンプルの作成も可能です。
また、特注仕様にも対応いたしますので、ご気軽にご相談ください。
ALD装置に関する電話でのお問い合わせ
東横化学株式会社（機器・装置事業部 機器部）
TEL : 044-435-5860（直通）