SiCパワーデバイス熱処理装置

SiCパワーデバイス用 超高温熱処理装置シリーズ

Ailesic TOYOKO KAGAKU

低炭素社会の実現に向け製品化が加速しているSiCパワーデバイス。
東横化学は独自の超高温熱処理技術を応用し2000年からSiCパワーデバイス装置の開発に取り組み、その長年培った技術と最先端技術を結集、高品質、高性能な熱処理性能を実現しました。
当社“Ailesic”(エールシック)シリーズ熱処理装置は、SiCパワーデバイスの性能を飛躍的に向上させるとともに安定した量産に貢献します。

活性化アニール装置 Ailesic-2000

活性化アニール装置 Ailesic-2000

特長

  • 最高温度1950℃までのSiC活性化アニールに対応
  • 新開発ヒーティング技術により超急速昇降温特性を実現
    ⇒ お客様の小ロット短時間処理のニーズにも対応
  • 同ヒーティング技術、及び、高精度温度制御技術により安定したプロセス性能を実現 = 安定生産に寄与
  • 開発から6インチ高スループット量産までの豊富なラインナップ
  • 量産工場での良好な運用実績

アプリケーション

  • 活性化アニール

熱処理装置 Ailesic-1700/1400

熱処理装置 Ailesic-1700/1400

特長

  • 最高温度1670℃*までのSiC超高温熱処理に対応
    (*オプション設定、標準仕様:最高温度≦1400℃)
  • In situ Cleaning他、独自技術により超高純度プロセスと高稼働を両立
  • 高純度/高真空/高温プロセスにおける急速昇降温に対応
  • 独自耐蝕/シール技術により腐食性/毒性ガスの使用に対応
  • 開発から6インチ高スループット量産までの豊富なラインナップ
  • 長年に亘る豊富な納入実績、及び、量産運用実績

アプリケーション

  • 酸化 (O2、Pyrogenic)
  • 酸窒化 (N2O、NO)
  • アニール (N2、Ar、H2、NH3)
  • POA (Post Oxidation Anneal)

R&D用熱処理装置 Ailesic-X

R&D用熱処理装置 Ailesic-X

注)写真は一例です。 ご要望される仕様により外形は大きく異なります。

特長

  • SiからSiC、GaN等々、各種半導体研究開発の多種多様な個別ニーズに応じた超高温/高温熱処理装置
  • 広範な選択可能温度性能: 400℃~1950℃
  • In situ Cleaning他、独自技術により超高純度プロセス環境を実現
  • 独自耐蝕/シール技術により腐食性/毒性ガスの使用に対応
  • 高純度/高真空/高温プロセスでの急速昇降温にも対応
  • 長年に亘る各種研究機関、大学等々への豊富な納入実績

アプリケーション

  • 酸化 (O2、Pyrogenic)
  • 酸窒化 (N2O、NO)
  • アニール (N2、Ar、H2、NH3)
  • POA (Post Oxidation Anneal)
  • 活性化アニール
  • その他

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オフィス、設備に!床はもちろん、キャビネットや装置等に穴を開ける事無く固定ができます。

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